STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW33N60M2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.15mm
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 41,20
€ 4,12 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 49,85
€ 4,99 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 41,20
€ 4,12 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 49,85
€ 4,99 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 10 - 99 | € 4,12 |
| 100 - 499 | € 3,23 |
| 500+ | € 2,86 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.15mm
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse