STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW28N60DM2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh DM2
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,48
€ 4,24 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 10,26
€ 5,13 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 8,48
€ 4,24 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 10,26
€ 5,13 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,24 | € 8,48 |
| 10 - 18 | € 3,99 | € 7,98 |
| 20 - 48 | € 3,56 | € 7,12 |
| 50 - 98 | € 3,17 | € 6,34 |
| 100+ | € 2,98 | € 5,96 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh DM2
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse