STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW26NM60N
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 107,70
€ 3,59 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 130,32
€ 4,344 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 107,70
€ 3,59 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 130,32
€ 4,344 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
30
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 3,59 | € 107,70 |
| 90 - 480 | € 2,85 | € 85,50 |
| 510 - 960 | € 2,51 | € 75,30 |
| 990+ | € 2,10 | € 63,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse