STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW24N60M2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Latime
5.15mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 14,80
€ 2,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 17,61
€ 3,522 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 14,80
€ 2,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 17,61
€ 3,522 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,96 | € 14,80 |
| 25 - 45 | € 2,79 | € 13,95 |
| 50 - 120 | € 2,48 | € 12,40 |
| 125 - 245 | € 2,21 | € 11,05 |
| 250+ | € 2,08 | € 10,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Latime
5.15mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse