STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 14 A, 500 V, 3-Pin TO-247 STW19NM50N
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
14A
Maximum Drain Source Voltage Vds
500V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
250mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
5.15 mm
Inaltime
20.15mm
Lungime
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Tub)
1
P.O.A.
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
1
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
14A
Maximum Drain Source Voltage Vds
500V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
250mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
5.15 mm
Inaltime
20.15mm
Lungime
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse