STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z

Nr. stoc RS: 485-8572Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STW10NK80Z
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20.15mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

€ 5,55

€ 5,55 Buc. (fara TVA)

€ 6,72

€ 6,72 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,55

€ 5,55 Buc. (fara TVA)

€ 6,72

€ 6,72 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 9€ 5,55
10 - 24€ 4,98
25 - 99€ 4,64
100 - 499€ 3,66
500+€ 3,23

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20.15mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
P.O.A.Buc. (fara TVA)