STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V, 8-Pin SO-8 STS7NF60L
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
21 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.65mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.825,00
€ 0,73 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.208,25
€ 0,883 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.825,00
€ 0,73 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.208,25
€ 0,883 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
21 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.65mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse