STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STS5NF60L

Nr. stoc RS: 795-8868Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STS5NF60L
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

DeepGate, STripFET

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.65mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 7,40

€ 0,74 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,95

€ 0,895 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STS5NF60L
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 7,40
20€ 14,80
30€ 22,20
40€ 29,60
50€ 37,00
60€ 44,40
70€ 51,80
80€ 59,20
90€ 66,60
100€ 74,00
110€ 81,40
120€ 88,80
130€ 96,20
140€ 103,60
150€ 111,00

€ 7,40

€ 0,74 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,95

€ 0,895 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STS5NF60L

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 7,40
20€ 14,80
30€ 22,20
40€ 29,60
50€ 37,00
60€ 44,40
70€ 51,80
80€ 59,20
90€ 66,60
100€ 74,00
110€ 81,40
120€ 88,80
130€ 96,20
140€ 103,60
150€ 111,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

DeepGate, STripFET

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.65mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe