STMicroelectronics Isolated STripFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS4DNF60L
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Tip pachet
SOIC
Serie
STripFET
Montare
Surface
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15 V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Frecventa minima de auto-rezonanta
150°C
Temperatura maxima de lucru
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Latime
4 mm
Lungime
5mm
Standards/Approvals
No
Inaltime
1.25mm
Number of Elements per Chip
2
Distrelec Product Id
304-42-969
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 20,60
€ 2,06 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 24,93
€ 2,493 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 20,60
€ 2,06 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 24,93
€ 2,493 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,06 | € 10,30 |
| 25 - 95 | € 1,93 | € 9,65 |
| 100 - 495 | € 1,50 | € 7,50 |
| 500+ | € 1,25 | € 6,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Tip pachet
SOIC
Serie
STripFET
Montare
Surface
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15 V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Frecventa minima de auto-rezonanta
150°C
Temperatura maxima de lucru
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Latime
4 mm
Lungime
5mm
Standards/Approvals
No
Inaltime
1.25mm
Number of Elements per Chip
2
Distrelec Product Id
304-42-969
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse