STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Nr. stoc RS: 151-447Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STS1DNC45
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

450V

Tip pachet

SO-8

Serie

SuperMESH

Montare

Surface

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-65°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 15,70

€ 1,57 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 19,00

€ 1,90 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45
Selectati tipul de ambalaj

€ 15,70

€ 1,57 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 19,00

€ 1,90 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitarPer Banda
10 - 90€ 1,57€ 15,70
100 - 240€ 1,48€ 14,80
250 - 490€ 1,36€ 13,60
500 - 990€ 1,24€ 12,40
1000+€ 1,18€ 11,80

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

450V

Tip pachet

SO-8

Serie

SuperMESH

Montare

Surface

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-65°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe