STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Nr. stoc RS: 151-446Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STS1DNC45
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

450V

Tip pachet

SO-8

Serie

SuperMESH

Montare

Surface

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 1.825,00

€ 0,73 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 2.208,25

€ 0,883 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

€ 1.825,00

€ 0,73 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 2.208,25

€ 0,883 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

450V

Tip pachet

SO-8

Serie

SuperMESH

Montare

Surface

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe