STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

Nr. stoc RS: 876-5702PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STR2P3LLH6
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Tip pachet

SOT-23

Serie

STripFET

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Temperatura maxima de lucru

150°C

Standards/Approvals

No

Lungime

3.04mm

Latime

1.75 mm

Inaltime

1.3mm

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 31,00

€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 37,51

€ 0,375 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 50.

Productie -

Disponibil in multiplu de 50.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

100

Disponibil in multiplu de 50
100€ 31,00
150€ 46,50
200€ 62,00
250€ 77,50
300€ 93,00
350€ 108,50
400€ 124,00
450€ 139,50
500€ 155,00
550€ 170,50
600€ 186,00
650€ 201,50
700€ 217,00
750€ 232,50
800€ 248,00

€ 31,00

€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 37,51

€ 0,375 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 50.

Productie -

Disponibil in multiplu de 50.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

100

Disponibil in multiplu de 50
100€ 31,00
150€ 46,50
200€ 62,00
250€ 77,50
300€ 93,00
350€ 108,50
400€ 124,00
450€ 139,50
500€ 155,00
550€ 170,50
600€ 186,00
650€ 201,50
700€ 217,00
750€ 232,50
800€ 248,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Tip pachet

SOT-23

Serie

STripFET

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Temperatura maxima de lucru

150°C

Standards/Approvals

No

Lungime

3.04mm

Latime

1.75 mm

Inaltime

1.3mm

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe