N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP8N65M5

Nr. stoc RS: 760-9727Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP8N65M5
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

70 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Inaltime

15.75mm

Serie

MDmesh M5

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP8N65M5

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP8N65M5

Informatii despre stoc temporar indisponibile

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

70 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Inaltime

15.75mm

Serie

MDmesh M5

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze