STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 120 V, 3-Pin TO-220 STP80NF12

Nr. stoc RS: 168-7519Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP80NF12
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Serie

STripFET

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.6mm

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

15.75mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 70,50

€ 1,41 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 85,30

€ 1,706 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 120 V, 3-Pin TO-220 STP80NF12

€ 70,50

€ 1,41 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 85,30

€ 1,706 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 120 V, 3-Pin TO-220 STP80NF12

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 50€ 1,41€ 70,50
100+€ 1,33€ 66,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Serie

STripFET

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.6mm

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

15.75mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe