STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06

Nr. stoc RS: 687-5324Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP80NF06
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

STripFET

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

115 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Inaltime

9.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Detalii produs

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

STripFET

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

115 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Inaltime

9.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Detalii produs

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe