STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP6NK90ZFP
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 46,50
€ 0,93 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 55,34
€ 1,107 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 46,50
€ 0,93 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 55,34
€ 1,107 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse