STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Nr. stoc RS: 261-4759Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP65N150M9
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

10.4 mm

Lungime

28.9mm

Inaltime

4.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 135,50

€ 2,71 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 163,96

€ 3,279 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

€ 135,50

€ 2,71 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 163,96

€ 3,279 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

10.4 mm

Lungime

28.9mm

Inaltime

4.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe