STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP60NF10
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
104 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Inaltime
15.75mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,50
€ 3,10 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 18,76
€ 3,751 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 15,50
€ 3,10 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 18,76
€ 3,751 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,10 | € 15,50 |
| 10+ | € 2,92 | € 14,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
104 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Inaltime
15.75mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse