STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Nr. stoc RS: 248-9686Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP60N043DM9
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-220

Serie

STP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.6mm

Lungime

28.9mm

Standards/Approvals

UL

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 382,00

€ 7,64 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 462,22

€ 9,244 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

€ 382,00

€ 7,64 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 462,22

€ 9,244 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-220

Serie

STP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.6mm

Lungime

28.9mm

Standards/Approvals

UL

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe