STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP55NF06L
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
95 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
9.15mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 109,50
€ 2,19 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 130,30
€ 2,606 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 109,50
€ 2,19 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 130,30
€ 2,606 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,19 | € 109,50 |
| 100 - 450 | € 1,70 | € 85,00 |
| 500 - 950 | € 1,44 | € 72,00 |
| 1000 - 4950 | € 13,86 | € 693,00 |
| 5000+ | € 13,76 | € 688,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
95 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
9.15mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse