STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-220 STP4N150

Nr. stoc RS: 761-0588Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP4N150
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Tip pachet

TO-220

Serie

MDmesh

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Inaltime

15.75mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,69

€ 5,69 Buc. (fara TVA)

€ 6,88

€ 6,88 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-220 STP4N150
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,69

€ 5,69 Buc. (fara TVA)

€ 6,88

€ 6,88 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-220 STP4N150

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 4€ 5,69
5 - 9€ 5,35
10 - 24€ 4,77
25 - 49€ 4,26
50+€ 3,99

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Tip pachet

TO-220

Serie

MDmesh

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Inaltime

15.75mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe