STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP45NF06
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.15mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 34,00
€ 0,68 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 41,14
€ 0,823 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 34,00
€ 0,68 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 41,14
€ 0,823 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,68 | € 34,00 |
| 100 - 450 | € 0,50 | € 25,00 |
| 500 - 950 | € 0,42 | € 21,00 |
| 1000 - 4950 | € 0,33 | € 16,50 |
| 5000+ | € 0,30 | € 15,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.15mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse