STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP3NK90ZFP
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-220FP
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
16.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,80
€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 5,81
€ 1,162 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 4,80
€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 5,81
€ 1,162 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,96 | € 4,80 |
| 10 - 95 | € 0,81 | € 4,05 |
| 100 - 495 | € 0,67 | € 3,35 |
| 500 - 995 | € 0,64 | € 3,20 |
| 1000+ | € 0,62 | € 3,10 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-220FP
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
16.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse