STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel Power MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
Power MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-220
Serie
STripFET H7
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
4.6 mm
Inaltime
15.75mm
Lungime
10.4mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 171,50
€ 3,43 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 207,52
€ 4,15 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 171,50
€ 3,43 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 207,52
€ 4,15 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
Power MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-220
Serie
STripFET H7
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
4.6 mm
Inaltime
15.75mm
Lungime
10.4mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse