STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Nr. stoc RS: 192-4925Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP26N60DM6
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.6mm

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Inaltime

15.75mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,42

€ 4,21 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 10,19

€ 5,094 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,42

€ 4,21 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 10,19

€ 5,094 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
2 - 8€ 4,21€ 8,42
10 - 18€ 3,93€ 7,86
20 - 48€ 3,68€ 7,36
50 - 98€ 3,44€ 6,88
100+€ 3,25€ 6,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.6mm

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Inaltime

15.75mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe