STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 164,00
€ 3,28 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 195,16
€ 3,903 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 164,00
€ 3,28 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 195,16
€ 3,903 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,28 | € 164,00 |
| 100 - 200 | € 3,16 | € 158,00 |
| 250 - 450 | € 3,05 | € 152,50 |
| 500 - 950 | € 2,94 | € 147,00 |
| 1000+ | € 2,84 | € 142,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse