STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP260N6F6

Nr. stoc RS: 760-9673Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP260N6F6
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

183nC

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

4.6 mm

Standards/Approvals

No

Inaltime

15.75mm

Lungime

10.4mm

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 8,86

€ 8,86 Buc. (fara TVA)

€ 10,72

€ 10,72 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP260N6F6
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,86

€ 8,86 Buc. (fara TVA)

€ 10,72

€ 10,72 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP260N6F6

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitar
1 - 1€ 8,86
2+€ 8,33

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

183nC

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

4.6 mm

Standards/Approvals

No

Inaltime

15.75mm

Lungime

10.4mm

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe