N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP260N6F6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.4mm
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
183 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
15.75mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 5,65
€ 5,65 Buc. (fara TVA)
€ 6,72
€ 6,72 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 5,65
€ 5,65 Buc. (fara TVA)
€ 6,72
€ 6,72 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,65 |
| 5 - 9 | € 5,31 |
| 10 - 24 | € 4,75 |
| 25 - 49 | € 4,23 |
| 50+ | € 3,96 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.4mm
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
183 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
15.75mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse