STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5

Nr. stoc RS: 877-2961Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP20N95K5
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

950 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Inaltime

15.75mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 20,25

€ 4,05 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 24,50

€ 4,90 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 20,25
10€ 40,50
15€ 60,75
20€ 81,00
25€ 101,25
30€ 121,50
35€ 141,75
40€ 162,00
45€ 182,25
50€ 202,50
55€ 222,75
60€ 243,00
65€ 263,25
70€ 283,50
75€ 303,75

€ 20,25

€ 4,05 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 24,50

€ 4,90 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 20,25
10€ 40,50
15€ 60,75
20€ 81,00
25€ 101,25
30€ 121,50
35€ 141,75
40€ 162,00
45€ 182,25
50€ 202,50
55€ 222,75
60€ 243,00
65€ 263,25
70€ 283,50
75€ 303,75

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

950 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Inaltime

15.75mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe