STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP16N65M5
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-220
Serie
MDmesh M5
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
299 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 7,22
€ 3,61 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 8,74
€ 4,368 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 7,22
€ 3,61 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 8,74
€ 4,368 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,61 | € 7,22 |
| 10 - 98 | € 3,47 | € 6,94 |
| 100 - 248 | € 3,34 | € 6,68 |
| 250 - 498 | € 3,24 | € 6,48 |
| 500+ | € 3,12 | € 6,24 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-220
Serie
MDmesh M5
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
299 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse