STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP16N65M5
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M5
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
299 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.15mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 93,00
€ 1,86 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 112,53
€ 2,251 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 93,00
€ 1,86 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 112,53
€ 2,251 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M5
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
299 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.15mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse