N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP16N65M5
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M5
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
299 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.4mm
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 126,50
€ 2,53 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 150,54
€ 3,011 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 126,50
€ 2,53 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 150,54
€ 3,011 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,53 | € 126,50 |
| 100 - 200 | € 2,44 | € 122,00 |
| 250 - 450 | € 2,35 | € 117,50 |
| 500 - 950 | € 2,27 | € 113,50 |
| 1000+ | € 2,19 | € 109,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M5
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
299 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.4mm
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse