STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP130N6F7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220
Serie
STripFET F7
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
9.15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 55,00
€ 1,10 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 66,55
€ 1,331 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 55,00
€ 1,10 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 66,55
€ 1,331 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220
Serie
STripFET F7
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
9.15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse