STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

Nr. stoc RS: 719-658Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP100N8F6
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

STP

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Temperatura minima de lucru

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Temperatura maxima de lucru

175°C

Inaltime

4.6mm

Lungime

15.75mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 0,90

€ 0,90 Buc. (fara TVA)

€ 1,09

€ 1,09 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

€ 0,90

€ 0,90 Buc. (fara TVA)

€ 1,09

€ 1,09 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

STP

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Temperatura minima de lucru

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Temperatura maxima de lucru

175°C

Inaltime

4.6mm

Lungime

15.75mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe