STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6

Nr. stoc RS: 206-6067Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STO67N60DM6
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

STO67N60DM6

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

59 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

25V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 8.136,00

€ 4,52 Buc. (Pe o rola de 1800) (fara TVA)

€ 9.681,84

€ 5,379 Buc. (Pe o rola de 1800) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6

€ 8.136,00

€ 4,52 Buc. (Pe o rola de 1800) (fara TVA)

€ 9.681,84

€ 5,379 Buc. (Pe o rola de 1800) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6
Informatii indisponibile despre stoc

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

STO67N60DM6

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

59 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

25V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe