STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
16 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Latime
3.5mm
Inaltime
1.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 2,00
€ 0,20 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 2,42
€ 0,242 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 2,00
€ 0,20 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 2,42
€ 0,242 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
16 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Latime
3.5mm
Inaltime
1.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse