STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V, 3-Pin SOT-223 STN1HNK60
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Inaltime
1.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 8,50
€ 0,85 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 10,28
€ 1,028 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 8,50
€ 0,85 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 10,28
€ 1,028 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,85 | € 8,50 |
| 20+ | € 0,80 | € 8,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Inaltime
1.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse