STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL8N10LF3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET F3
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.2mm
Lungime
6.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
0.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.880,00
€ 0,96 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.484,80
€ 1,162 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 2.880,00
€ 0,96 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.484,80
€ 1,162 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET F3
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.2mm
Lungime
6.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
0.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse