STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7

Nr. stoc RS: 786-3741PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STL60N10F7
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

STripFET H7

Tip pachet

PowerFLAT 5 x 6

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.4mm

Latime

6.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.95mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 4,05

€ 0,81 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,82

€ 0,964 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Selectati tipul de ambalaj

€ 4,05

€ 0,81 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,82

€ 0,964 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

STripFET H7

Tip pachet

PowerFLAT 5 x 6

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.4mm

Latime

6.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.95mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe