STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL4N80K5
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Serie
MDmesh K5, SuperMESH5
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.4mm
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.970,00
€ 0,99 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.534,30
€ 1,178 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 2.970,00
€ 0,99 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.534,30
€ 1,178 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Serie
MDmesh K5, SuperMESH5
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.4mm
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse