STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Tip pachet
PowerFLAT
Montare
Surface
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
60nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
5.4mm
Standards/Approvals
No
Inaltime
0.95mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 4.050,00
€ 1,35 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 4.900,50
€ 1,634 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 4.050,00
€ 1,35 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 4.900,50
€ 1,634 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Tip pachet
PowerFLAT
Montare
Surface
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
60nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
5.4mm
Standards/Approvals
No
Inaltime
0.95mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse