STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N channel
Maximum Continuous Drain Current Id
397A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Tip pachet
H2PAK-2
Series
STH
Montare
Surface Mount
Numar pini
2
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
230nC
Maximum Power Dissipation Pd
341W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
9.3mm
Inaltime
4.7mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 2.790,00
€ 2,79 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 3.375,90
€ 3,376 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 2.790,00
€ 2,79 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 3.375,90
€ 3,376 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N channel
Maximum Continuous Drain Current Id
397A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Tip pachet
H2PAK-2
Series
STH
Montare
Surface Mount
Numar pini
2
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
230nC
Maximum Power Dissipation Pd
341W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
9.3mm
Inaltime
4.7mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse