STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Nr. stoc RS: 103-2006Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STH310N10F7-6
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Tip pachet

H2PAK

Serie

STripFET H7

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

315W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

180nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.8mm

Lungime

15.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3.640,00

€ 3,64 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 4.404,40

€ 4,404 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

€ 3.640,00

€ 3,64 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 4.404,40

€ 4,404 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Tip pachet

H2PAK

Serie

STripFET H7

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

315W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

180nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.8mm

Lungime

15.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe