STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH310N10F7-2

Nr. stoc RS: 786-3707PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STH310N10F7-2
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

STripFET H7

Tip pachet

H2PAK-2

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

315 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

10.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

4.8mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 8,10

€ 4,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 9,80

€ 4,90 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH310N10F7-2
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2€ 8,10
4€ 16,20
6€ 24,30
8€ 32,40
10€ 40,50
12€ 48,60
14€ 56,70
16€ 64,80
18€ 72,90
20€ 81,00
22€ 89,10
24€ 97,20
26€ 105,30
28€ 113,40
30€ 121,50

€ 8,10

€ 4,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 9,80

€ 4,90 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH310N10F7-2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2€ 8,10
4€ 16,20
6€ 24,30
8€ 32,40
10€ 40,50
12€ 48,60
14€ 56,70
16€ 64,80
18€ 72,90
20€ 81,00
22€ 89,10
24€ 97,20
26€ 105,30
28€ 113,40
30€ 121,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

STripFET H7

Tip pachet

H2PAK-2

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

315 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

10.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

4.8mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe