STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK-2
Series
STH200
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 4.260,00
€ 4,26 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 5.154,60
€ 5,155 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 4.260,00
€ 4,26 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 5.154,60
€ 5,155 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK-2
Series
STH200
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse