STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
10.57 mm
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 2.120,00
€ 2,12 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 2.565,20
€ 2,565 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 2.120,00
€ 2,12 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 2.565,20
€ 2,565 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
10.57 mm
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse