STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
H2PAK-2
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
10.57mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.8mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,18
€ 4,09 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,90
€ 4,949 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 8,18
€ 4,09 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,90
€ 4,949 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,09 | € 8,18 |
| 10 - 18 | € 3,85 | € 7,70 |
| 20 - 48 | € 3,43 | € 6,86 |
| 50 - 98 | € 3,06 | € 6,12 |
| 100+ | € 2,88 | € 5,76 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
H2PAK-2
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
10.57mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.8mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse