STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
H2PAK-2
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
10.57mm
Inaltime
4.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 2.140,00
€ 2,14 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 2.589,40
€ 2,589 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 2.140,00
€ 2,14 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 2.589,40
€ 2,589 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
H2PAK-2
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
10.57mm
Inaltime
4.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse