STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP STF45N10F7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
16.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 46,25
€ 1,85 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 55,96
€ 2,238 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
25
€ 46,25
€ 1,85 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 55,96
€ 2,238 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
25
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,85 | € 9,25 |
| 50 - 120 | € 1,65 | € 8,25 |
| 125 - 245 | € 1,47 | € 7,35 |
| 250+ | € 1,38 | € 6,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
16.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse