STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF26NM60N

Nr. stoc RS: 761-2792PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STF26NM60N
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-220FP

Serie

MDmesh

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

165 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

35 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Inaltime

16.4mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 6,02

€ 6,02 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 7,28

€ 7,28 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF26NM60N
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,02

€ 6,02 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 7,28

€ 7,28 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF26NM60N

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-220FP

Serie

MDmesh

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

165 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

35 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Inaltime

16.4mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe